ИННОВАЦИИ БИЗНЕСУ

Результат выполнения НИР,

Наблюдающаяся в последнее время тенденция к уменьшению размеров элементов топологии, формируемых на полупроводниковых и диэлектрических пластинах, приводит к ужесточению требований, предъявляемых к пластинам, полученным на операции резки. Одним из путей повышения качества отрезанных пластин является усиление эффективности действия в процессе резания СОЖ, что может быть обеспечено за счет контроля положения пластины в процессе резки и регулирования расхода СОЖ, подаваемой в зону обработки и на торец отрезаемой пластины.

.Указанный технический результат достигается тем, что осуществляют подачу вращающегося алмазного отрезного круга на заготовку, а смазочно-охлаждающую жидкость подают в зону обработки и на необрабатываемый торец отрезаемой пластины. При этом в процессе резки контролируют положение пластины относительно плоскости резания, а подачу СОЖ регулируют, исходя из условия минимизации отклонения пластины от плоскости резания. Регулирование подачи СОЖ позволяет изменять количество жидкости, подаваемой как в зону обработки, так и на необрабатываемый торец отрезаемой пластины, а значит, и варьировать давление, оказываемое СОЖ как на сторону пластины, обращенную к плоскости отрезного круга, так и на противоположную ей сторону. В результате изменения гидравлического давления (расклинивающего действия СОЖ) будут уменьшаться прогиб и толщина дефектного слоя отрезаемой пластины.

Причем, если у пластины формируется прогиб, направленный в сторону плоскости круга, то увеличение расхода СОЖ, подаваемой в зону обработки, будет происходить до тех пор, пока пластина не выровнит свое положение относительно плоскости резания ,реализуя тем самым условие минимизацииотклонения пластины от плоскости резания.Если же в процессе резки формируемый упластины прогиб направлен в сторону,противоположную плоскости круга, тоувеличение расхода СОЖ, подаваемой нанеобрабатываемый торец пластины, будетосуществляться до тех пор, пока пластинаопять не выровнит свое положениеотносительно плоскости резания.

Схема реализации способа

Способ резки заготовок напластины может быть реализован следующимобразом.При разрезании заготовки диаметром 76мм из монокристаллического кремния маркиЭКЭС - 0,01 на пластины толщиной 0,5 мм на отрезном станке "Алмаз-6М" алмазный отрезной круг 1 марки АКВР 422x152x0,32 мм АС 50/40, вращающийся с окружнойскоростьюv_к= 20 м/с, подают с врезнойподачейv _s= 30 мм/мин на заготовку 3, приклеенную с помощью шеллака 4 кграфитовой подложке 5 (см.схему). В процессе разрезания СОЖ подают в зону обработкичерез сопло 2 и на торец отрезаемойпластины 7 через сопло 6. Положение пластины 7относительно плоскости отрезного кругаконтролируют датчиком 8 (напримеркатушкой индуктивности), связанным срегуляторами расхода СОЖ (например, регуляторами расхода с пропорциональным электрическим управлением типа ДДМ-6 ТУ2 - 053 - 0221148.14-89).

Если в процессе резания у отрезаемойпластины 7 формируется прогиб, то датчик 8вырабатывает электрический сигнал,амплитуда и полярность которого зависят от величины и направления прогиба пластины. Далее выработанный сигнал поступает в регуляторы расхода, которые изменяютрасход СОЖ, подаваемой через сопла 2 и 6,таким образом, чтобы уменьшитьрасклинивающее действие СОЖ и сделатьминимальным отклонение пластины от плоскости отрезного круга 1 (плоскости резания). В результате пластина выравниваетсвое положение относительно плоскостирезания (стороны пластины становятсяпараллельными относительно плоскостиотрезного круга), а прогиб и толщинадефектного слоя пластины существенноуменьшаются.