Заявку на получение дополнительной информации по этому проекту можно заполнить здесь.
Номер 84-014-04 |
Наименование проекта Способ формирования проводящего элемента нанометровых размеров |
Назначение Формирование наноструктур на поверхности твердого тела |
Рекомендуемая область применения Технология микро- и наноэлектроники |
Описание Описание к ИЛ № 84-014-04. Результат выполнения научно-исследовательской работы 1-верхний металлический слой (катод); 2-диэлектрическая пленка нанометровой толщины; 3-торец диэлектрической пленки; 4-нижняя металлическая пленка (анод); 5-проводящий элемент. На фиг.1 схематически изображена открытая Ісэндвич І- структура с изолирующей щелью нанометровой ширины после электроформовки : (а) - вид спереди, (б) - поперечное сечение. 1. Способ формирования проводящего элемента нанометровых размеров между двумя электродами структуры, разделенными изолирующей щелью шириной от 2 до 100 нм, включающий введение в изолирующую щель материала, проводимость которого меняется при прохождении через него потока электронов, например органического материала, подачу на структуру напряжения, достаточного для протекания тока, приводящего к необратимому увеличению проводимости структуры, но не превышающего напряжения разрушающего электрического пробоя, причем напряжение подается с помощью устройства с высоким выходным сопротивлением, и выдержку структуры под напряжением, отличающийся тем, что с помощью устройства обеспечивают изменяемую отрицательную обратную связь между током через структуру и напряжением на ней, при подаче напряжения его повышают до резкого увеличения (скачка) проводимости структуры (u 0), причем выходное сопротивление устройства в это время поддерживают в диапазоне от 1 МОм до максимального значения, которое еще обеспечивает уверенное обнаружение скачка проводимости структуры на фоне шумов, а при выдержке напряжение на структуре поддерживают в диапазоне от 2 В до 0 при меньших, чем на предыдущей операции, значениях выходного сопротивления устройства. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что во время подачи напряжения выходное сопротивление устройства поддерживают максимальным, которое еще обеспечивает уверенное обнаружение скачка проводимости структуры на фоне шумов. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что во время выдержки сканируют напряжением на структуре внутри диапазона от 2 В до значения u 0. 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что с помощью устройства, обеспечивающего изменяемую отрицательную обратную связь между током и напряжением на структуре, стабилизируют ток через структуру. |
Преимущества перед известными аналогами При формировании проводящего элемента с нанометровыми размерами не требуется выполнение соответствующего процесса литографии через маску резиста, кроме того, применяется более простое оборудование |
Стадия освоения Способ (метод) проверен в лабораторных условиях |
Результаты испытаний Соответствует технической характеристике изделия (устройства) |
Технико-экономический эффект Уменьшение себестоимости процесса в 2 раза |
Возможность передачи за рубеж За рубеж не передаётся |
Дата поступления материала 30.08.2004 |
У павильонов Уральской выставки «ИННОВАЦИИ 2010» (г. Екатеринбург, 2010 г.)
Мероприятия на выставке "Инновации и инвестиции - 2008" (Югра, 2008 г.)
Открытие выставки "Малый бизнес. Инновации. Инвестиции" (г. Магнитогорск, 2007 г.)
Демонстрация разработок на выставке "Малый бизнес. Инновации. Инвестиции" (г. Магнитогорск, 2007 г.)