ИННОВАЦИИ БИЗНЕСУ

Описание к ИЛ № 29-038-04

Результат выполнения НИР.

Механизм роста пленки представляет собой сильно неравновесный процесс, на который влияют как многие параметры напыления, такие как температура подложки, давление окружающей атмосферы, качество поверхности подложки, мощность лазерного излучения, расстояние мишень - подложка и т.д., так и химические и физические свойства подложек.

Значения оптимальных режимов определяются из условия минимума сопротивления ВТСП, измеряемого при комнатной температуре. В качестве объектов используются подложки из монокристаллаmgoс ориентацией 001 и поликристаллическая керамическая пластина на основеcatio ₃размерами 12х6х1,8 мм. В качестве материала для пленки используется соединениеyba ₂cu ₃o _7-8,приготовленное в виде поликристаллической керамической таблетки.

Параметры режима напыления были следующими: атмосфера, в которой осуществлялось напыление, состояла из чистого кислорода; диапазон давления изменялся в пределах 0,1-5 торр; диапазон изменения температуры подложки 740-850°С; мощность лазерных импульсов (l=1,06 мкм) 10 МВт; длительность импульсов 20нс; частота повторения импульсов 12,5 Гц.

Сразу после напыления, отжига и охлаждения у пленки при комнатной температуре измерялось четырехконтактным способом сопротивление и наличие сверхпроводимости при температуре жидкого азота. Последующие измерения проводились каждые 24 часа.

Рис. Напыление высокотемпературных сверхпроводящих пленок

1 - подложка; 2 - держатель подложки;

3 - нагреватель подложки; 4 - термопара;

5 - мишень; 6 - электродвигатель; 7-лазерное излучение; 8 - факел.