ИННОВАЦИИ БИЗНЕСУ

Результат выполнения научно-исследовательской разработки.

Для повышениямагниточувствительности (МЧ) производилась радиационная обработка образцов планарно-диффузионных симисторов (ПДС) со стороны верхней поверхности структуры -частицами от радиоизотопного источника на основе Kr ²⁴⁴ с энергией частиц 5,8 МэВ,b-частицами от источника на основе Sr ⁹⁰+Y ⁹⁰ типа БИС-50, электронами с энергией E _e30 кэВ, и рентгеновским излучением при напряжении трубки 100 кВ.

В результате радиационного воздействия удалось существенно повысить чувствительность симисторов к магнитному полю. При подаче токов управления различной природы (гальваническое, оптоэлектронное воздействие), можно не только повысить магниточувствительность ПДС, но и задавать диапазон изменения его магниточувствительных свойств. Максимальная вольтовая магниточувствительность симисторов облученных -частицами иb-частицами составляла 37 В/Тл, что сравнимо со значениями этого параметра серийно выпускаемых магнитодиодов.

При облучении симисторов электронами с энергией 30 кэВ удалось повысить вольтовую магниточувствительность в несколько раз (от 20 В/Тл до 110 В/Тл) в диапазоне магнитного поля от от -2,8 Тл до 2,8 Тл.

Наличие магниточувствительности позволило использовать подобные структуры в качестве магнитодатчиков в узлах электрических схем, работающих на переменном токе и потребляющих небольшую мощность, в устройствах слаботочной автоматики, в бесконтактных механических переключателях и т.д. Применение дискретных двунаправленных приборов с высокой МЧ упрощает схемные решения многих задач, т.к. исключает необходимость в промежуточных усилителях: сигнал можно подавать непосредственно на регистрирующий или исполнительный орган того или иного устройства. Это обеспечивает более низкую стоимость, снижение массогабаритных показателей.