ИННОВАЦИИ БИЗНЕСУ

Результат выполнения научно-исследовательской работы.

Способ изготовления р-п- переходов при изготовлении диодов, состоящий в выращивании монокристалла Р b _1-хSn _xSe р - типа проводимости, разделении монокристалла на пластины, термообработке для снижения концентрации носителей заряда, формировании р ^-п ^- перехода путем диффузии донорной примеси, создании изолирующего покрытия, разделении на отдельные элементы и создании электрических контактов вакуумным напылением.

Способ формирования р ^-п ^- переходов на основе соединений Р b _1-хSn _xSe, включающий синтез шихты (Р b _1-хSn) _1-уSe _ус составом, близком к стехиометрическому, выращивание объемных кристаллов в вакуумированой ампуле, проведение диффузии примеси в кристалл с типом проводимости противоположным типу проводимости выращенных кристаллов. Лазерный диод изготавливают из монокристаллической пластины Р b _1-хSn _xSe р - типа, ориентированной пон100эи имеющей концентрацию носителей р = 7Ч10 ¹⁸ см ^-3.

Выращенные из паровой фазы монокристаллы Р b _1-хSn _xSe имееют р-тип проводимости с концентрацией носителей заряда р~10 ¹⁹ см ^-3. Это объясняется особенностями Р-Т-Х-У диаграмм состояния. Из экспериментов по термическим отжигам в парах шихты с избытком собственных компонентов установлено, что

избыток атомов селена в твердом растворе (Р b _1-хSn _x) _1-уSe_у(т.е. у > 0,5) приводит к образованию вакансий атомов металла и дырочному типу проводимости. Электронный тип проводимости обусловлен избыточными (по сравнению с составом у = 0,5) атомами металла. Область галогенности (Р b _1-хSn _x) _1-уSe_у по у очень невелика, концентрация основных носителей меняется в очень широких пределах:электронов от 10 ¹⁶ до

10 ¹⁹ см ^-3, дырок от 10 ¹⁶ до 10 ²⁰ см ^-3 при Т = 300 К.

Таблица №1

Сущность предлагаемого способа состоит в том, что р ^-п ^- переход формируют на монокристаллах Р b _1-хSn _xSe, полученных из паравой фазы из измельченной поликристаллической шихты, закристаллизованной из расплава (Р b _1-хSn _x)Se, с составом по у, близким к У _makc и термообработанной в вакууме.

С помощью этого приема удается избавиться от термического отжига кристаллов, который требует больших временных затрат и приводит к ухудшению качества получаемого р ^-п ^- перехода, что в конечном итоге отрицательно влияет на основные характеристики лазерного диода.