ИННОВАЦИИ БИЗНЕСУ

Результат выполнения научно-исследовательской работы.

В способе эпитаксиального наращивания высокоомных полупроводников типа А ^шВ ^у, включающем приготовление раствора-расплава, содержащего галлий, материал насыщения и примесь, создающую в эпитаксиальном слое глубокие примесные уровни, длительный предростовой отжиг раствора-расплава, в течение 4-26 ч контактирование его с подложкой и наращивание полуизолирующих слоев из жидкой фазы, добавляют дополнительно к исходным компонентам раствора-расплава сурьму в количестве 1-50 ат%.

Добавляют изоэлектронную примесь - сурьму в количестве, позволяющем в соответствии с диаграммой состояний получать слои с долей сурьмы в твердой фазе не более 0,01 и не влияющей на коэффициенты агрегации основных компонентов твердой фазы.

При изготовлении полуизолирующих слоев GaAs и Al _xGa _1-xAS сурьму добавляют в жидкую фазу в количестве 1-10 ат%.

Наличие в растворе-расплаве сурьмы приводит к тому, что после длительного отжига из такой жидкой фазы в отсутствии хрома (или другой легирующей примеси, дающей глубокие уровни в твердой фазе) растут полупроводниковые пленки с достаточно низкой концентрацией носителей. В твердой фазе возникают комплексы на основе атомов Ga-Sb, которые создают дополнительные глубокие уровни в запрещенной зоне полупроводника, способствующие понижению основных носителей в твердой фазе. Добавление основной легирующей примеси (хром, железо) приводит к получению полуизолирующих пленок.