Заявку на получение дополнительной информации по этому проекту можно заполнить здесь.
Номер 79-180-02 |
||||||||||||
Наименование проекта Установка для контроля прочности микросоединений полупроводниковых приборов |
||||||||||||
Назначение Повышение качества контроля прочности микросоединений и очистка подкорпусного пространства полупроводниковых приборов и интегральных схем от пыли и других посторонних частиц |
||||||||||||
Рекомендуемая область применения Групповой контроль прочности микросоединений полупроводниковых изделий |
||||||||||||
Описание Данный материал является результатом научно-исследовательской работы ВГТУ. Предлагаемая установка (см.рисунок 1) работает следующим образом:
Полупроводниковое изделие, состоит из корпуса 2 с кристаллом 3, как показано на рисунке 1 и сформированными микросоединениями 4 жестко закрепляется на основании 1 установки. К ободу 5 корпуса 2 полупроводникового изделия герметично крепится вакуумная головка 6, состоящая из вакуумной камеры 7 и системы вакуумных отсеков 10, находящихся в нижней части вакуумной головки и образованных за счет удлинения выступов перегородки 9. Для улучшения турбулентности потока воздуха при работе установки пазы 11 над сформированными микросоединениями 4 выполнены сплошными, а участок средней части вакуумной головки между пазами фиксируется под действием собственного веса на выступах перегородок. Движение воздушного потока в вакуумных отсеках осуществляется через сплошные 11 и дросселирующие пазы 8. Перед контролем прочности микросоединений к стойке 12 вакуумной головки 6 присоединяют трубку от вакуумного насоса. При включении вакуумного насоса за счет перепада давлений в вакуумной камере создается поток воздуха, который вызывает механическую нагрузку на перемычки, как бы отрывая микросоединения от контактных площадок кристалла и корпуса. Изменяя ширину сплошных пазов над сформированными микросоединениями, можно увеличивать или уменьшать перепад давлений в вакуумной камере, тем самым регулировать величину отрывающей нагрузки, действующей на каждое микросоединение. Использование данной разработки позволяет существенно повысить качество контроля прочности и осуществить очистку подкорпусного пространства полупроводниковых приборов и интегральных схем. |
||||||||||||
Преимущества перед известными аналогами Упрощение конструкции установки; повышение качества контроля прочности микросоединений; обеспечение очистки подкорпусного пространства полупроводниковых приборов, интегральных схем от пыли и других посторонних частиц; |
||||||||||||
Стадия освоения Способ(метод) проверен в лабораторных условиях - ВГТУ |
||||||||||||
Результаты испытаний Технология обеспечивает получение стабильных результатов |
||||||||||||
Технико-экономический эффект Повышение качества контроля прочности микросоединений на 20 % |
||||||||||||
Возможность передачи за рубеж Возможна передача за рубеж |
||||||||||||
Дата поступления материала 28.10.2002 |
У павильонов Уральской выставки «ИННОВАЦИИ 2010» (г. Екатеринбург, 2010 г.)
Мероприятия на выставке "Инновации и инвестиции - 2008" (Югра, 2008 г.)
Открытие выставки "Малый бизнес. Инновации. Инвестиции" (г. Магнитогорск, 2007 г.)
Демонстрация разработок на выставке "Малый бизнес. Инновации. Инвестиции" (г. Магнитогорск, 2007 г.)