ИННОВАЦИИ БИЗНЕСУ

Результат выполнения научно-исследовательской работы.

Получение эпитаксильных структур Р bTe - Pb0,8 Sn 0,2 Te осуществляют в лабораторных условиях. Для получения эпитаксиальных структур Р bTe - Pb0,8 Sn 0,2 Te монокристаллическую подложку РbТе, ориентированную по плоскости (100) и исходные компоненты Pb, Sn, Te, взятые в соотношениях согласно диаграмме состояния для выбранной температуры эпитаксии 600 °С, помещают в графитовую лодочку. Систему нагревают в потоке чистого водорода до 600 °С и выдерживают при этой температуре в течение часа для достижения полной гомогенизации раствора-расплава. Использование чистого водорода способствует удалению окисной пленки с поверхности раствора-расплава и подложки. Затем прекращают подачу водорода и в системе создают вакуум. При достижении вакуума 10 ^-3-10 ^-4 мм рт. ст. раствор - расплав приводят в контакт с подложкой. После этого в системе вновь восстанавливают поток водорода и снижают температуру со скоротью 0,05 °С/мин.

В результате получены структуры Р bTe - Pb0,8 Sn 0,2 Te, у которых высота микронеровностей границы раздела не превышала 0,3 мкм, на границе раздела не было включений в виде пузырей и пустот, а плотность дефектов составляла меньше 10 ³см ^-2. Вакуум в системе позволяет удалить газ, адсобированный поверхностью подложки в растворенный в растворе-расплаве.

В момент контакта раствора-расплава с подложкой газ не захватывается расплавом, что обеспечивает на границе раздела подложки и эпитаксиального слоя отсутствие включений, способствует улучшению планарности границы раздела.

Использование предлагаемого способа жидкостной эпитаксии полупроводниковых структур позволяет улучшить планарность структур в 3-4 раза за счет улучшения смачиваемости подложки раствором-расплавом и снизить плотность посторонних включений и дефектов в эпитаксальной структуре в 10-12 раз.