ИННОВАЦИИ БИЗНЕСУ

Результат выполнения научно-исследовательской работы.

Способ определения температуры изменения типа проводимости относится к полупроводниковой технике и рекомендуется использовать при контроле параметров полупроводниковых материалов на основе соединений А ⁴В ⁶ в процессе их получения, а также при создании полупроводниковых приборов на основе этих материалов.

В способе предлагается снимать температурную зависимость термоЭДС d для каждого кристалла. По изменению знака второй производной зависимости термоЭДС d

от температуры возможно определение температуры изменения типа проводимости на границе области гомогенности соединений А ⁴В ⁶, независимо от соотношения подвижности п ^- и р ^- - типа проводимости.

В предлагаемом способе партия монокристаллов обрабатывается изометрически в парах лигатуры, причем каждый кристалл подвергается термообработке при определенной температуре.

Определение температуры изменения типа проводимости проводится последовательном порядке определения зависимости термоЭДСaдля каждого кристалла. Из полученных данных строятся зависимости термоЭДСaот температуры и из них находятся температурные зависимости коэффициента термоЭДСaтермоa.

Для собственной проводимости коэффициент термоЭДСaимеет определенное значение, слабо зависящее от температуры.

По характеру изменения коэффициента термо ЭДСaопределяют тип проводимости в данном кристалле, а по изменению знака производной коэффициента термо ЭДСa- температуру изменения типа проводимости.

Наличие используемых изменений достаточно для сокращения времени и повышения экономичности при определении искомой температуры.

Новый прием при наличии всей совокупности признаков приводит к новому положительному эффекту-повышению экономичности и сокращению времени определения температуры изменения типа проводимости на границе области галогенности соединений А ⁴В ⁶.

В результате определения температуры изменения типа проводимости на границе области галогенности соединений А ⁴В ⁶, отпадает надобность в наличии калибровочных кривых, которые устанавливают корреляционную зависимость между

коэффициентом термо ЭДС a и концентрацией собственных дефектов, а это приводит к уменьшению времяемкости способа.

На чертеже приведены полученные экспериментально зависимости коэффициентов термоЭДС a от температуры для шести монокристаллов pb _0.93sn _0.07se (с начальной концентрацией дырок порядка 2 Ч10 ¹⁹ см ^-3) обработанных в парах лигатуры состава ( pb _0.93sn _0.07) _0,51se _0,49 при температурах: 830°С, 845°С, 860°С, 890°С, 905°С, 920°С.