ИННОВАЦИИ БИЗНЕСУ

Результат выполнения научно-исследовательской работы.

Устройство для формирования многослойных структур относится к области технологии полупроводниковых материалов и приборов, к устройствам для нанесения тонких пленок полупроводниковых соединений и твердых растворов на их основе.

Контейнер (рис.1) состоит из основной кварцевой ампулы и двух дополнительных ампул. Конструкция выращивает легированные пленки из газовой фазы с использованием двух дополнительных источников пара 1,2 с собственным компонентам 3 и с легирующей примесью.

Наличие двух дополнительных источников пара позволяет, регулировать состав растущих пленок путем задания различных температур источника пара собственного компонента. Имеется возможность управлять концентрацией примеси в пленке, задавая температуру источника пара легирующего компонента.

Контейнер содержит дополнительную ампулу 1. В дополнительной ампуле контейнера выполнены изолированные друг от друга камеры А и В с отверстиями, расположенными с возможностью размещения между ними нагревателя 2, а в основной ампуле 3, предназначенной для размещения в ней подложек 4, выполнена внутренняя полость 5 с отверстием.

Диаметр внутренней полости 5 на основной ампуле 3 равен внешнему диаметру дополнительной ампулы 1.

Ампула 1 и полость 5 плотно пришлифованы друг к другу. Дополнительная ампула закреплена на основной ампуле с возможностью вращения таким образом, что отверстие, выполненное во внутренней полости, находится на одной высоте с отверстиями в камерах А и В.

Камеры А и В обеспечивают раздельное размещение двух различных источников пара. Для смешивания паров разных составов в процессе выращивания перегородка, разделяющая камеры А и В, герметично приварена к стенкам дополнительной ампулы.

Внутренняя полость 5 и пришлифованная к ней дополнительная ампула 1 необходимы, чтобы обеспечить возможность совмещения отверстия на ней с отверстия

на ней с отверстиями в камере А и В в процессе выращивания и управления потоком паров в зону конденсации. Ленточным нагревателем 6 задается равномерное распределение температуры по внешнему диаметру основной ампулы 3. От диаметра основной ампулы зависит количество размещенных подложек по периметру.