ИННОВАЦИИ БИЗНЕСУ

Результат выполнения научно-исследовательской работы

Способ получения ультрафиолетового преобразователя включает нанесение на полупроводниковую подложку фоточувствительного слоя, его легирование и нанесение на противоположные стороны электродов, в качестве материала подложки используют неорганический полупроводник арсенид галлия (gaas), сильно легированный донорной примесью, а фоточувствительный слой наносится вакуумным напылением органического полупроводника п-типа хлориндийфталоцианина (СИпРс), обладающего высоким коэффициентом поглощения и высокой фоточувствительностью в УФ-области

Новым в предлагаемом способе по сравнению с прототипом является нанесение фоточувствительного слоя хлориндийфталоцианина (СИпРс) на подложку из арсенида галлия (gaas), что позволило повысить фоточувствительность до 10-4Вт/м2(фиг.).

Сущность изобретения поясняется графическим материалом, где на фиг. 1 - спектр поглощения СиРс и СИпРс; на фиг. 2 - зависимость напряжения холостого ходаuот интенсивности облучения Е в логарифмическом масштабе, построенная на основании данных эксперимента, приведенных в таблице.

Пример: на пластинку арсенида галлия, сильно легированную донорной примесью, толщиной 0,4 мм, предварительно подвергнутую травлению, наносят тыловой омический электрод из сплава германия и золота. На противоположную поверхность арсенида галлия наносят в вакууме фоточувствительный слой органического полупроводника п-типа хлориндийфталоцианина (СИпРс) толщиной 20 нм. Слой хлориндийфталоцианина подвергают легированию очищенным кислородом. На слой хлориндийфталоцианина напыляют полупрозрачный электрод из серебра, пропускающий 10% падающего света.

Изготовление твердотельного фотогальванического элемента предлагаемым способом позволяет повысить фоточувствитльность до 10"4 Вт/м2.