ИННОВАЦИИ БИЗНЕСУ

Результат выполнения НИР.

Разработан новый метод диагностики поверхности центросимметричных полупроводниковых кристаллов, например, кремния и германия, широко применяемых в микроэлектронике. В основе метода лежит явление генерации отраженной второй гармоники. Это явление заключается в том, что при падении на поверхность интенсивного лазерного излучения определенной частоты в отраженном свете возникает волна на удвоенной частоте - отраженная вторая гармоника (ОВГ). Явление генерации ОВГ предоставляет уникальные возможности для исследования поверхности твердых тел, в частности, полупроводников.

Параметры ОВГ: интенсивность, поляризация - несут информацию о свойствах поверхности и приповерхностного слоя, таких как микрошероховатость, кристаллическая структура, толщина поверхностной диэлектрической пленки, концентрация и энергетический спектр поверхностных состояний. Дополнительные диагностические возможности метода связаны с анализом зависимостей параметров ОВГ от угла поворота отражающей поверхности относительно нормали к ней и от величины приложенного к отражающей поверхности электрического поля.

Отличительными особенностями метода является его дистанционность, отсутствие разрушений исследуемой поверхности, высокая чувствительность, локальность, экспрессность.

Создана экспериментальная установка по диагностике поверхности полупроводников методом ОВГ, разработаны теоретические основы метода, методика диагностики, программное обеспечение для компьютерной обработки результатов эксперимента.

Дальнейшее развитие исследований - разработка теории генерации ОВГ с учетом электронных процессов, индуцированных лазерными импульсами в полупроводниках.

Разработка метода осуществлена в рамках научно-технического сотрудничества с Международным лазерным центром и физическим факультетом МГУ,