ИННОВАЦИИ БИЗНЕСУ

Результат выполнения НИР.

Способ изготовления кремниевых полупроводниковых структур заключается в наращивании с двух сторон на монокремниевой пластине с высоким удельным сопротивлением эпитаксиальных слоев кремния с низким удельным сопротивлением. Сформированные эпитаксиальные структуры шлифуют, полируют, устанавливают в специальное приспособление на станок для резки слитков кремния кругом с внутренней режущей кромкой и затем разрезают параллельно боковым поверхностям подложки на две части равной толщины.

Следует отметить, что после установки приспособления на станок первый рез производится поперек цилиндрической вставки из пластмассы, в которой предусмотрены отверстия диаметром 3 мм. Через эти отверстия в дальнейшем осуществляется вакуумное присасывание частей разрезаемой эпитаксиальной структуры. После первого реза плоскости отрезного круга и поверхности резания во вставке - параллельны. Далее, одна отрезанная часть вставки отодвигается, между обеими частями вставки помещается и закрепляется с помощью вакуума эпитаксиальная структура, которая затем также разрезается. Одной настройки достаточно для резки 500 - 700 структур.

Данный способ по сравнению с известными имеет следующие преимущества:

повышение производительности труда при формировании структур для мощных высоковольтных полупроводниковых приборов;

увеличение эффективности использования полупроводникового материала подложки;

резкое снижение энергозатрат (электроэнергии).