ИННОВАЦИИ БИЗНЕСУ

Результат выполнения научно-исследовательской работы.

Для групповой химической обработке полупроводниковых структур применяют кассеты, имеющие цилиндрическую полую камеру, в которой хаотически расположены полупроводниковые структуры. В процессе травления кассеты опускают в травильную смесь. Травление полупроводниковых структур происходит неравномерно и структуры, находящихся на дне кассеты, не до конца отмывают от травителя. При такой химической обработке структур низка производительность процесса.

При применений химической обработки (см. рис) каждая структура полупроводниковых структур происходит неравномерно и структуры, находящихся на дне кассеты, не до конца отмываются от травителя.

При применений химической обработки (см. рис) каждая структура полупроводникового прибора, собранная на кристаллодержателя, подвергается химической обработке отдельно, двигаясь на ленте носителя через блок ванн, в которых находятся травители. Это позволяет повысить качество химической обработки полупроводниковых структур и производительность, а также улучшить воспроизводимость параметров изделий в целом.

Линия химической обработки состоит из блока ванн 1, установленного на стойку 2 с консолью; камеры тепла 3, расположенной в торце консоли стойки; калорифера 4, находящегося над камерой тепла, конвейрных лент 5, роликов 6-9, вытеснителей 10 и 11, потрубков 12 и 13 участуов загрузки 14 и выгрузки 15 кристаллодержателей,

панели 16. Количество ванн, скорость движения лент, время травления и температуры травления соответствует технологическому процессу химической обработки полупроводниковых структур конкретного типа прибора.

Кристаллодержатели со структурой, уложенные в отверстия ленты-носителя, в узле загрузки продсодят последовательно через все ванны, в которые подаются соответствующие травители и деионизированная вода. Причем загрузка и выгрузка проводятся автоматический или вручную, травители и деионизированная вода направляется навстречу движущимся кристаллодержателям на ленте - носителя и сливаются через патрубки, расположенные на дне ванны, а избыток - через патрубки, расположенные наверху ванн.