Заявку на получение дополнительной информации по этому проекту можно заполнить здесь.
Номер 19-010-02 |
Наименование проекта Изготовления диффузионных кремниевых структур методом глубокой диффузии фосфора |
Назначение Изготовление исходных кремниевых пластин для полупроводниковых приборов |
Рекомендуемая область применения Изготовление мощных высоковольтных транзисторов |
Описание Результат выполнения технологической разработки. В ОАО "Эльдаг" внедрен в производство технологический процесс изготовления диффузионных кремниевых структурn--n+(ДКС) на кремниевых пластинах диаметром 100 и 76 мм. Процесс проводят в диффузионных печах типа СДОМ - 3/100, при высокой температуре (1300 єС) с применением карбид-кремниевой оснастки. Применяемый диффузант -pcl3(треххлористый фосфор). Толщина низкоомного слояn+(глубина диффузии) может составлять 100 - 200 мкм, в зависимости от требований заказчика. Отклонение толщины по пластине составляет не более 20 мкм, прогиб не более 40 мкм, шероховатость поверхности соответствует 14 классу. |
Преимущества перед известными аналогами Самый высокий процент выхода годных на ДКС, изготовленных по данной технологии по сравнению с отечественными производителями и производителями из ближнего зарубежья |
Стадия освоения Внедрено в производство |
Результаты испытаний Технология обеспечивает получение стабильных результатов |
Технико-экономический эффект Процент выхода годных транзисторов, получаемых на ДКС превышает аналоги на 4-5% и составил 77% |
Возможность передачи за рубеж Возможна передача за рубеж |
Дата поступления материала 19.03.2002 |
У павильонов Уральской выставки «ИННОВАЦИИ 2010» (г. Екатеринбург, 2010 г.)
Мероприятия на выставке "Инновации и инвестиции - 2008" (Югра, 2008 г.)
Открытие выставки "Малый бизнес. Инновации. Инвестиции" (г. Магнитогорск, 2007 г.)
Демонстрация разработок на выставке "Малый бизнес. Инновации. Инвестиции" (г. Магнитогорск, 2007 г.)