ИННОВАЦИИ БИЗНЕСУ

Результат выполнения технологической разработки.

Технология лазерной очистки обеспечивает очистку поверхностей без применения отмывочных средств. В отличие от стандартной технологии позволяет очищать поверхности от загрязняющих частиц размером менее 0,1 мкм.

Процесс очистки может проходить непрерывно во время основной технологической операции, например послойного выращивания (напыления) пленок или микроструктур, когда имеется необходимость поддержания чистоты рабочей поверхности в течение всего цикла обработки. Также возможна очистка поверхностей свободных тонкопленочных мембран.

Очистка производится при косом облучении загрязненной поверхности импульсным излучением лазера за счет использования реактивного импульса отдачи, сбивающего частицы с поверхности. Длительность импульса не менее 1…10 нс. Длина волны мене 1 мкм. Для очистки одной подложки диаметром 150 мкм требуется менее 1 с.

Процесс очистки производится в любой атмосфере при давлении до нескольких атмосфер, внутри любого оборудования, в т. ч. имеющего изолированную технологическую среду (в микроэлектронике - при наращивании тонкопленочных слоев, в ходе предоперационной подготовки подложек)

С внедрением технологии лазерной очистки исключен расход отмывочных жидкостей (кислот, щелочей, органических растворителей) и снижены вредные выбросы в окружающую среду, увеличен выход годных изделий и, благодаря бесконтактной неразрушающей очистке, улучшено их качество.