Заявку на получение дополнительной информации по этому проекту можно заполнить здесь.
Номер 19-071-00 |
Наименование проекта Способ получения сверхчистых пленок и устройство для его осуществления |
Назначение Выращивание пленок высокой чистоты и совершенства для устройств микроэлектроники |
Рекомендуемая область применения Тонкопленочная технология |
Описание Результат выполнения научно-исследовательской работы. На подвижную мишень из исходного материала воздействуют лучом лазера. Поток ионов проходит через мелкоструктурную проводящую сетку и вытягивающий электрод, установленные на выходе из ионизационной камеры, получает ускорение и входит в магнитное поле аксиальной симметрии с коэффициентом неоднородности, равным 1, перпендикулярно его границе. Моноэнергетические ионы с массойm0после отклонения в поле продолжают двигаться в виде параллельного пучка. На выходе из магнитного поля устанавливают коллектор в виде тонких металлических пластин. Ионы с отличными отm0массами не проходят каналы коллектора и на поверхность подложки попадает пучок ионов одной массы, что обеспечивает повышение чистоты пленок, совершенство и воспроизводимость их свойств. На рисунке представлена схема устройства для осуществления способа. Устройство содержит ионизационную камеру 1, внутри которой на площадке 2 закреплена мишень 3 их исходного материала. Площадка 2 соединена с системой 4 управления движением. На выходе из ионизационной камеры 1 размещены мелкоструктурная сетка 5 и вытягивающий электрод 6. Между вытягивающим электродом 6 и подложкодержателем 7 с подложкой 8 установлены магнит 9 с аксиальной симметрией и коллектором 10. На мишень 3 воздействуют источником излучения, например лазером 11. Рис. Устройство работает следующим образом. Излучение лазера 11 (l= 1,06 мкм, Е = 0,3Дж,t= 10 -8с) проходит через кварцевый ввод в высоковакуумную камеру 12 и фокусируется системой линз до плотности падающего излучения на мишени 3, равной 5.(10 8-10 10) Вт/см 2. Плоскость подвижной площадки 2 и, соответственно, мишени 3 может устанавливаться под разными углами к излучению. Мишень 3 перемещается с такой скоростью, чтобы кратеры от каждого импульса на мишени 3 не перекрывались. Мишень 3 с площадкой 2 и ионизационная камера 1 находятся под ускоряющим потенциалом (0 - 30 кВт). Ускорение ионов происходит между мелкоструктурной проводящей сеткой 5, служащей для стабилизации фронта лазерной плазмы, и вытягивающим электродом 6. Вытягивающий электрод 6 и подложка 8 с системой крепления и подогрева подложки находятся под нулевым потенциалом. Описанная система позволяет получить широкий однородный пучок ионов. |
Преимущества перед известными аналогами Возможность получения материалов с изотопной степенью чистоты |
Стадия освоения Опробовано в условиях опытной эксплуатации |
Результаты испытаний Технология обеспечивает получение стабильных результатов |
Технико-экономический эффект 800 тыс. руб. |
Возможность передачи за рубеж Возможна передача за рубеж |
Дата поступления материала 20.11.2000 |
У павильонов Уральской выставки «ИННОВАЦИИ 2010» (г. Екатеринбург, 2010 г.)
Мероприятия на выставке "Инновации и инвестиции - 2008" (Югра, 2008 г.)
Открытие выставки "Малый бизнес. Инновации. Инвестиции" (г. Магнитогорск, 2007 г.)
Демонстрация разработок на выставке "Малый бизнес. Инновации. Инвестиции" (г. Магнитогорск, 2007 г.)